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產(chǎn)品名稱:管狀壓電陶瓷元件

產(chǎn)品型號:

產(chǎn)品報價:

產(chǎn)品特點(diǎn):哈爾濱芯明天科技有限公司提供高品質(zhì)單層壓電元件,在形狀及尺寸方面可廣泛選擇。我們可以生產(chǎn)很寬的尺寸范圍的管狀壓電陶瓷元件,外徑可生產(chǎn)5mm至140mm,以適合您的特殊應(yīng)用。

更新日期:2024-07-30

管狀壓電陶瓷元件的詳細(xì)資料:

哈爾濱芯明天科技有限公司提供高品質(zhì)單層壓電元件,在形狀及尺寸方面可廣泛選擇。我們可以生產(chǎn)很寬的尺寸范圍的管狀壓電陶瓷元件,外徑可生產(chǎn)5mm至140mm,以適合您的特殊應(yīng)用。

芯明天單層壓電陶瓷(又常被稱作超聲陶瓷)內(nèi)部僅含有一層壓電陶瓷層,且內(nèi)部無電極層,僅有外部表面的電極層,不像多層疊堆壓電陶瓷,內(nèi)部具有很多陶瓷層及電極層。在不破壞單層陶瓷對應(yīng)正、負(fù)電極情況下,可進(jìn)行切割使用。

管狀壓電陶瓷元件

管狀壓電陶瓷元件

管狀壓電陶瓷元件 芯明天單層壓電陶瓷電極

管狀壓電陶瓷元件

芯明天單層壓電陶瓷通常為絲網(wǎng)印刷銀電極,厚度約幾微米至幾十微米,也可定制鎳、金、鍍銀等電極。 單層壓電陶瓷片的標(biāo)準(zhǔn)電極為上下面,一面為正極、一面為負(fù)極;管狀單層陶瓷的標(biāo)準(zhǔn)電極為內(nèi)外壁電極,內(nèi)壁為正極、外壁為負(fù)極。 除

標(biāo)準(zhǔn)電極外,我們也可提供特殊電極,如電極延覆WAE(Wraped Around Electrode),可將正負(fù)電極引至同一側(cè),如下圖所示,為標(biāo)準(zhǔn)可選的WAE電極形式,一般從另一面延覆來的電極為負(fù)極,另一區(qū)域為正極,如下圖標(biāo)記。

單層壓電陶瓷的諧振頻率

管狀壓電陶瓷元件

Tube管狀壓電陶瓷至少具有兩個諧振頻率,即軸向、徑向諧振頻率,它的徑向諧振頻率與外徑、壁厚等有關(guān)。

Tube管狀陶瓷軸向(即高度方向)的諧振頻率可通過以下公式進(jìn)行估算:

F=0.002*N/(OD–ID)

N:厚度方向頻率常數(shù), 取決于材料,詳見材料參數(shù)工作表,

OD:外徑[mm] , ID:內(nèi)徑[mm] , 此計算值為為估計值。

例如:N40 Tube OD39-ID32-TH13,計算得它的軸向諧振頻率約為550kHz。

將壓電陶瓷裝入設(shè)備中后,陶瓷的諧振頻率將降低,具體參數(shù)需要進(jìn)行結(jié)構(gòu)分析。

單層壓電陶瓷的位移估算

管狀壓電陶瓷元件

利用逆壓電效應(yīng),即對壓電陶瓷施加電壓,壓電陶瓷受電場影響將產(chǎn)生形變位移。

1、位移的粗略估計

單層壓電陶瓷一般在耐壓值下的位移約為位移方向長度的1‰,例如1mm厚陶瓷片,它的耐壓值為1000V,在1000V下,它產(chǎn)生的位移約為1μm。

2、片狀單層壓電陶瓷的位移估算:

管狀壓電陶瓷元件

其中:

U:施加電壓[V] , H:陶瓷高度[m] , E:電場強(qiáng)度[V/m] , d:壓電系數(shù)[m/V] , W:陶瓷寬度[m]

由以上公式可知:片狀單層壓電陶瓷的位移只與材料及所給電壓有關(guān),而對于同一種材料,不同高度的陶瓷片,只要施加相同電壓(切記:電壓不可超出所能承受的電壓),所產(chǎn)生的位移基本相同。

其他形狀也可根據(jù)此計算公式進(jìn)行估算位移情況。

3、單層陶瓷工作在諧振頻率點(diǎn)時產(chǎn)生的振動幅度大。

作為傳感或發(fā)電時,輸出電壓估算

管狀壓電陶瓷元件

單層壓電陶瓷作為傳感器時是利用它的正壓電效應(yīng),即通過施加外力使之產(chǎn)生形變,從而輸出電荷。

圓片輸出電壓理論估算公式:

管狀壓電陶瓷元件

g33:為材料常數(shù) , F:為力,單位 , H:為高度 , R:為圓片的半徑

例如: 圓片NCE41-Disc-OD20-TH5,NCE41材料系數(shù)為25.5*10-3,當(dāng)施加12500N力時,理論估算所產(chǎn)生的電壓為5000V。 管狀單層壓電陶瓷的輸出電壓應(yīng)減去內(nèi)徑計算出的電壓值。

單層壓電陶瓷用來發(fā)電產(chǎn)生的功率,在諧振頻率下,可達(dá)<span margin:0px;padding:0px;"="" style="margin: 0px; padding: 0px;">3,芯明天單層壓電陶瓷在諧振頻率下產(chǎn)生功率材料為NCE81材料。

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